之前有很多消息称英特尔和AMD要在2020年推出DDR5平台的消息，当然我都是选择不相信，以AMD为例，还没推出的Zen3还是DDR4内存平台，Zen4至少也要等到明年。虽然面向低功耗领域的LPDDR5已经上市许久，但它还是和真正的DDR5是两回事。
不过在近日，三星那边有了一些还算靠谱的好消息。
三星近日宣布，将在2021年量产DDR5内存，其将使用EUV光刻工艺，生产地点是韩国平泽的新工厂。同时三星宣布首批采用EUV光刻工艺的DDR4内存的出货量已经达到100万。
和逻辑芯片制造相同，内存、存储芯片的制造也需要光刻，以往的DUV（193nm）光刻下，要提高工艺的精度，就要引入多重曝光技术，例如台积电的20nm SoC工艺就是双重曝光，更先进的工艺曝光次数就更多。但是EUV（13.5nm）光刻下，因为光的波长更短，“下刀”更精准了，可以减少曝光的次数，提高生产效率。同时EUV光刻提高了光刻的准确度，从而提高性能，也就能制造更小的晶体管，提高工艺的先进程度。
三星从第4代10nm级工艺（D1a）DRAM开始全面引入EUV光刻技术，明年会使用该工艺大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计EUV光刻可以使12英寸晶圆的生产效率翻倍。
三星在EUV光刻上要比其他厂商要积极很多，无论是逻辑芯片还是存储芯片，当然EUV工艺的不成熟也让其面临了很多困难，不过现在看来三星似乎已经能够解决问题并利用了EUV的长处，诸如高通骁龙765G等三星EUV工艺的芯片也已经上市许久，5nm等真正体现EUV实力的节点或许很快就会到来。
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